- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت NCE80H12
NCE80H12 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | NCE80H12 |
|---|---|
| حجم فایل | 77.296 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت NCE80H12 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE80H12
- Power Dissipation (Pd): 220W
- Drain Source Voltage (Vdss): 80V
- Continuous Drain Current (Id): 120A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,40A
- Package: TO-220
- Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor